美光:内存工艺短时间不需要用,光刻工艺

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2018-07-12 20:40:57

今年台积电、三星及globalfoundries等公司都会量产7nm工艺,第一代7nm工艺将使用传统的duv光刻工艺,二代7nm才会上euv光刻工艺,预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上euv工艺?在美光看来,euv光刻工艺并不是dram芯片必须的,未来几年内都用不上,在新一代工艺上他们正在交由客户验证1y nm内存芯片,未来还有1z、1α及1β工艺。

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内存跟cpu等芯片虽然都是集成电路,生产制造过程有相似之处,不过工艺并不相同,cpu逻辑工艺今年进入到了7nm节点,但内存主流的还是20nm、18nm工艺,其中18nm就属于1x nm节点(16-19nm之间),后面的1y nm则是14-16nm之间,1z大概是12到14nm。再之后,美光提出的是1α及1β工艺,具体对应xx nm就不明了。

三星是第一家量产18nm工艺,也就是第一个进入1x nm节点的,遥遥领先其他公司,美光现在也开始向1x nm工艺转进,下一代的1y nm工艺已经进入客户验证阶段了,今年下半年问世,1z nm工艺节点在处于工艺优化阶段,1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光ceo sanjay mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题,在euv光刻工艺上,他认为euv光刻机在dram芯片制造上不是必须的,直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

在内存工艺上,美光认为1α及1β工艺上依然都不需要euv光刻工艺,不过早前asml两年前提到过内存在进入1y nm节点时就需要考虑euv工艺了,实际上并没有,包括三星在内的三大dram巨头都没有很快进入euv节点的打算。